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flash不同颗粒SLC、MLC、TLC、QLC擦写次数

flash有四种颗粒SLC、MLC、TLC、QLC。

SLC质量最好也最贵,MLC、TLC、QLC依次变差变便宜。

下面是具体的介绍,来自网络。

SLC(单层存储单元)
速度最快,寿命最长,价格最贵的SLC颗粒
intel 傲腾900P固态硬盘是英特尔针对商业客户和游戏发烧友推出高性能SSD,它使用的就是SLC闪存颗粒,寿命约为全盘写入15000次,每天全盘写入一次,预估寿命为40年。

全称是Single-Level Cell,单层电子结构,每个cell可以存放1bit数据,SLC达到1bit/cell,写入数据的时候电压变化区间小,P/E寿命较长,理论擦写次数在10万次以上,但是由于成本最高,所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。

MLC(双层存储单元)
速度较快,寿命较长、价格较贵的MLC颗粒
三星960 Pro是三星针对游戏发烧友和专业级用户推出的高性能SSD,它使用的是MLC闪存颗粒,寿命约为全盘写入1500次,每天全盘写入一次,预估寿命为4年。

全称是Multi-Level Cell,使用高低电压的而不同构建的双层电子结构,MLC达到2bit/cell,P/E寿命较长,理论擦写次数在3000-5000次左右,成本相对较高,但是对于消费级来说也可以接受,多用于家用级高端产品中。

TLC(三层存储单元)
速度较慢,寿命较短、价格最便宜的TLC颗粒
普通用户根本没有那么大的写入数据需求,以每天20G的数据写入量,即便是寿命最短的三星960EVO,预期寿命也有20年。

全称是Trinary-Level Cell,三层式存储单元,是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,由于存储密度较高,所以容量理论上是MLC的1.5倍,成本较低,但是P/E寿命相对要低一些,理论擦写次数在1000-3000次不等,是目前市面上主流的闪存颗粒。

QLC(四层存储单元)

全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度,同时成本上相比TLC更低,优势就是可以将容量做的更大,成本上更低,劣势就是P/E寿命更短,理论擦写次数仅150次。

对普通人用户来说,SLC颗粒就像劳斯莱斯幻影,好是好,但是太贵,所以,极少有人买;MLC颗粒就像宝马7系,车还算可以,但还是贵,买的人还是少;只有TLC颗粒就像福克斯,虽然性能和品质远不如劳斯莱斯和宝马730,但是价格实惠,所以,买的人最多。


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赞(0) 恰饭...
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